Номер детали производителя : | S4D V6G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S4D V6G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S4D V6G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S4D V6G.pdf |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200V |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5µs |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Другие названия | S4D V6G-ND S4DV6G |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 6 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 200V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100µA @ 200V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 4A DPAK
DIODE SIL CARB 1.2KV 4A TO220AC
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO214AB
DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220AC